주요 사양
내부 캐비티 체적 0.11 in³의 저체적 설계로 입자 포집을 최소화하고 퍼지가 용이하며, 접액부는 316L VIM/VAR 스테인리스를 5Ra(최대 7Ra)로 전해연마해 오염 없는 가스 공급을 보장합니다. 전 센서 헬륨 리크 테스트(1×10⁻⁹ atm·cc/s)를 거치며 가변 커패시턴스 방식으로 EMI/RFI에 강하고 장기 안정성이 우수합니다. 스위블 페이스실 피팅 등 반도체 표준 피팅과 4-20 mA 출력 시 ETL/ATEX 비점화 승인 옵션을 제공합니다.
| 형태 | 트랜스듀서 |
|---|---|
| 측정 범위 | 0~25 ~ 0~3,000 psi (1.7~200 bar), 절대/게이지/컴파운드 |
| 정확도 | ±0.25% FS |
| 출력 | 4–20 mA · 0–5 V · 0–10 V · 0.2–5.2 V · 0.2–10.2 V |
| 압력 | Proof 50~3,500 psig, Burst 최대 10,000 psig (레인지별) |
적용 분야
- 반도체 공정장비
- 가스 캐비닛
- 고순도 가스 공급
- UHP